CONFIGURAZIONE e TEST:

Verranno realizzati due gruppi di test che sono stati progettati per rispondere alle seguenti filosofie:

un primo gruppo di test verrà fatto sottoponendo le memorie a una serie di applicativi di benchmarking mirati a testarne le performance generali. I test sono fatti in maniera tale da lasciare inalterata la frequenza di funzionamento della CPU, pur variando il FSB, e giocando con i moltiplicatori della memoria e della CPU. In tale modo si avrà un test esaustivo delle memorie a frequenze di funzionamento di 400/533/667/800 che non vengono influenzati dalla variazione della frequenza di funzionamento della CPU. Le uniche frequenze di test alle quali si è dovuto andare in overclock è la DDR2 1000 e DDR2 1066 per le quali si è utilizzato un FSB di 333 MHz e 353MHz.

Il secondo gruppo di test invece viene fatto applicando due voltaggi differenti 2.25v (per simulare un utilizzo quotidiano) e 2.40 v (per simulare un utilizzo da benchmark, analizzare il comportamento e l’eventuale miglioramento  delle ram all’incremento del voltaggio). Viene utilizzato il SuperPI a 1 M per testare la stabilità minima, e il SuperPI a 32 M per verificare una stabilità maggiore. Anche in questo caso si lavora con i moltiplicatori per cercare di effettuare tutti i test nelle stesse condizioni operative, cioè con la frequenza della CPU che rimanga il più possibile inalterata alle varie frequenze di test.

Vediamo un breve significato dei Timings più comuni:

* CAS Latency (Tcl): indica il ritardo, in termini di cicli di clock, tra l'inoltro di una richiesta in lettura e l'istante in cui il dato è pronto per l'uscita. A valori inferiori della latenza corrispondono prestazioni velocistiche superiori. Ovviamente, una latenza pari a 3 implica performance differenti se la memoria opera alla frequenza di 166 MHz o 200 MHz oppure, ancora, a quella di 250 MHz.

* RAS to CAS Delay (Trcd): i dati contenuti nei moduli memoria vengono disposti e letti in righe e colonne, partendo sempre prima dalle righe e, in seguito, passando alle colonne. Il Ras to Cas Delay indica il ritardo (delay), in termini di cicli di clock, tra il segnale di RAS e quello di CAS. A valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

* RAS Precharge Time (Trp): tale valore indica l'intervallo di tempo (sempre espresso in cicli di clock) tra un comando RAS e il successivo. In questo intervallo vengono precaricati i condensatori della memoria. L'operazione di precharge si rende indispensabile per la caratteristica peculiare delle DRAM di cui si è discusso in precedenza. Ovviamente, anche in questo caso, a valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

* Cycle Time (Tras): intervallo di tempo (espresso in cicli di clock) necessario per prelevare un dato da una cella di memoria e renderlo disponibile per l'output.

I timing sempre settati da bios, nei vari grafici sono nel seguente ordine:

CAS-TRCD-TRP-TRAS.